ຂໍ້ໄດ້ປຽບຂອງຂະບວນການ BCD

ຂະບວນການ BCD ຜະລິດອຸປະກອນ Bipolar, ອຸປະກອນ CMOS, ແລະອຸປະກອນພະລັງງານ DMOS ຢູ່ໃນຊິບດຽວກັນໃນເວລາດຽວກັນ, ເຊິ່ງລວມເອົາຄວາມໄດ້ປຽບຂອງ transconductance ສູງ, ຄວາມສາມາດໃນການຂັບລົດການໂຫຼດທີ່ເຂັ້ມແຂງຂອງອຸປະກອນ bipolar ແລະການເຊື່ອມໂຍງສູງແລະການໃຊ້ພະລັງງານຕ່ໍາຂອງ CMOS; ໃນເວລາດຽວກັນ, DMOS ສາມາດຢູ່ໃນໂຫມດສະຫຼັບມັນເຮັດວຽກພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂພະລັງງານຕ່ໍາ, ມີການໃຊ້ພະລັງງານຕ່ໍາທີ່ສຸດ, ແລະສາມາດສົ່ງພະລັງງານສູງໃຫ້ກັບການໂຫຼດໄດ້ໂດຍບໍ່ຈໍາເປັນຕ້ອງມີການຫຸ້ມຫໍ່ລາຄາແພງແລະລະບົບເຮັດຄວາມເຢັນ. ຂະບວນການ BCD ມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ, ການແຊກແຊງໄຟຟ້າຫນ້ອຍ, ພື້ນທີ່ຊິບຂະຫນາດນ້ອຍ, ຕົວກໍານົດການໄຟຟ້າທີ່ດີກວ່າ, ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນການບໍລິໂພກພະລັງງານຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງລະບົບ, ປະຫຍັດຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການຫຸ້ມຫໍ່ວົງຈອນ, ແລະມີຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືທີ່ດີກວ່າ, ສະຫນອງການແກ້ໄຂການຜະລິດທີ່ມີການແຂ່ງຂັນຫຼາຍ.