BCD技術の開発経緯

BCD (バイポーラ-C​​MOS-DMOS) テクノロジは、BJT (バイポーラ トランジスタ)、CMOS (相補型金属酸化膜半導体)、および DMOS (二重拡散金属酸化膜半導体) トランジスタ テクノロジを 1 つに組み合わせたモノリシック統合プロセス テクノロジです。このチップは 1985 年に STMicroelectronics によって初めて開発されました。集積回路技術のさらなる発展に伴い、BCD プロセスはパワー集積回路の主流の製造技術になりました。