L'histoire du développement de la technologie BCD

105
La technologie BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) est une technologie de processus intégrée monolithique qui combine les technologies de transistor BJT (transistor bipolaire), CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) et DMOS (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor) en un seul processus de fabrication avancé sur le Cette puce a été développée avec succès par STMicroelectronics en 1985. Avec le développement de la technologie des circuits intégrés, le procédé BCD est devenu la technologie de fabrication dominante pour les circuits intégrés de puissance.