История развития технологии BCD

Технология BCD (биполярная CMOS-DMOS) представляет собой монолитную интегрированную технологию, которая сочетает в себе транзисторные технологии BJT (биполярный транзистор), CMOS (дополнительный металлооксидный полупроводник) и DMOS (двойной диффузный металлооксидный полупроводник). Чип был впервые успешно разработан компанией STMicroelectronics в 1985 году. С дальнейшим развитием технологии интегральных схем процесс BCD стал основной технологией производства силовых интегральных схем.