BCD tehnoloģijas attīstības vēsture

BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) tehnoloģija ir monolīta integrēta procesa tehnoloģija, kas apvieno BJT (Bipolar Transistor), CMOS (komplementāra metāla oksīda pusvadītāja) un DMOS (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor) tranzistoru tehnoloģijas vienā. mikroshēmu pirmo reizi veiksmīgi izstrādāja STMicroelectronics 1985. gadā. Līdz ar integrēto shēmu tehnoloģijas turpmāku attīstību BCD process ir kļuvis par galveno jaudas integrālo shēmu ražošanas tehnoloģiju.