Η TSMC αναφέρει τεράστια έξοδο διεργασίας 3nm δεύτερης γενιάς

Η TSMC ανέφερε ότι βλέπουν «τεράστιες» αποδόσεις στις προδιαγραφές διαδικασίας δεύτερης γενιάς σε επίπεδο 3nm. Σύμφωνα με την εταιρεία, η πυκνότητα ελαττώματος D0 του N3E είναι συγκρίσιμη με το N5 και ταιριάζει με το ποσοστό ελαττωμάτων παλαιότερων κόμβων στο ίδιο σημείο του αντίστοιχου κύκλου ζωής τους. Αυτό επιτρέπει στους πελάτες αιχμής της TSMC, όπως η Apple, να αποκομίσουν τα οφέλη των βελτιωμένων κόμβων διεργασίας σχετικά γρήγορα.