TSMC повідомляє про величезну продуктивність другого покоління за 3-нм техпроцесом

TSMC повідомила, що вони бачать «величезну» продуктивність за специфікаціями процесу другого покоління на рівні 3 нм. Згідно з даними компанії, щільність дефектів D0 N3E порівнянна з N5 і збігається з рівнем дефектів старих вузлів у тій самій точці їх відповідного життєвого циклу. Це дозволяє провідним клієнтам TSMC, таким як Apple, відносно швидко скористатися перевагами вдосконалених вузлів процесу.