Lihe Science and Technology investéiert an d'Inkubatioun vun Basis Halbleiteren a liwwert Automotive-Grad Silicium Carbide Power Modul Technologie Léisunge fir GAC Aian

Den 12. November sot de Lihe Science and Technology an Äntwert op d'Froen vun den Investisseuren datt Basic Semiconductor, deen et investéiert an inkubéiert huet, weider mat GAC Aion kooperéiert huet iwwer d'Bordanwendung vun Automotive-Grad Silicium Carbide Kraaftmoduler fir et ze liwweren. technesch Léisungen. Ënnert hinnen, Produkter wéi Pcore ™6 Automotive-Grad Siliziumkarbid Kraaftmoduler goufen op Aian Hyper SSR, GT, HT an aner Modeller masseproduzéiert.