日本デンソーと富士電機が協力してSiC半導体プロジェクトを開発、政府補助金も獲得

日本の経済産業省はこのほど、日本デンソーと富士電機が共同出資する炭化ケイ素（SiC）半導体プロジェクトに補助金を交付すると発表した。投資総額は2,116億円（約102億元）に達する。そのうち補助額は最大705億円（約34億元）に達する可能性がある。今回の提携では、デンソーがSiC基板の生産を担当し、富士電機がSiCパワーデバイスの生産を担当し、関連設備の拡充を予定している。このプロジェクトでは年間31万個の生産能力が見込まれており、2027年5月に供給が開始される予定だ。