Nippon Denso und Fuji Electric arbeiten bei der Entwicklung eines SiC-Halbleiterprojekts zusammen und erhalten staatliche Zuschüsse

Das japanische Ministerium für Wirtschaft, Handel und Industrie gab kürzlich bekannt, dass es Subventionen für das von Nippon Denso und Fuji Electric gemeinsam investierte Siliziumkarbid-Halbleiterprojekt (SiC) bereitstellen wird. Die Gesamtinvestition beläuft sich auf 211,6 Milliarden Yen (ca. 10,2 Milliarden RMB). wobei die Subventionshöhe bis zu 70,5 Milliarden Yen (ca. 3,4 Milliarden RMB) betragen kann. Im Rahmen dieser Kooperation wird Denso für die Herstellung von SiC-Substraten verantwortlich sein, während Fuji Electric für die Herstellung von SiC-Leistungsgeräten verantwortlich sein wird und plant, die entsprechenden Anlagen zu erweitern. Das Projekt soll eine Produktionskapazität von 310.000 Stück pro Jahr haben und mit der Auslieferung im Mai 2027 beginnen.