Nippon Denso en Fuji Electric werken samen om een ​​SiC-halfgeleiderproject te ontwikkelen en overheidssubsidies te ontvangen

Het Ministerie van Economie, Handel en Industrie van Japan heeft onlangs aangekondigd dat het subsidies zal verstrekken voor het siliciumcarbide (SiC) halfgeleiderproject dat gezamenlijk is geïnvesteerd door Nippon Denso en Fuji Electric. Het totale investeringsbedrag bedraagt ​​211,6 miljard yen (ongeveer RMB 10,2 miljard). waarvan het subsidiebedrag kan oplopen tot 70,5 miljard yen (ongeveer 3,4 miljard RMB). In deze samenwerking zal Denso verantwoordelijk zijn voor de productie van SiC-substraten, terwijl Fuji Electric verantwoordelijk zal zijn voor de productie van SiC-stroomapparaten en plannen heeft om gerelateerde faciliteiten uit te breiden. Het project zal naar verwachting een productiecapaciteit hebben van 310.000 stuks per jaar en zal in mei 2027 worden geleverd.