Nippon Denso e Fuji Electric collaborano per sviluppare il progetto dei semiconduttori SiC e ricevere sussidi governativi

Il Ministero dell'Economia, del Commercio e dell'Industria del Giappone ha recentemente annunciato che fornirà sussidi per il progetto di semiconduttori in carburo di silicio (SiC) investito congiuntamente da Nippon Denso e Fuji Electric. L'importo totale dell'investimento raggiunge 211,6 miliardi di yen (circa 10,2 miliardi di RMB). di cui l'importo della sovvenzione può raggiungere i 70,5 miliardi di yen (circa 3,4 miliardi di RMB). In questa cooperazione, Denso sarà responsabile della produzione di substrati SiC, mentre Fuji Electric sarà responsabile della produzione di dispositivi di potenza SiC e prevede di espandere le strutture correlate. Si prevede che il progetto avrà una capacità produttiva di 310.000 pezzi all’anno e inizierà la fornitura a maggio 2027.