Nippon Denso и Fuji Electric сотрудничают в разработке проекта по производству полупроводников SiC и получают государственные субсидии

Министерство экономики, торговли и промышленности Японии недавно объявило, что предоставит субсидии для проекта по производству полупроводников из карбида кремния (SiC), совместно инвестированного компаниями Nippon Denso и Fuji Electric. Общая сумма инвестиций достигает 211,6 млрд иен (приблизительно 10,2 млрд юаней). из которых сумма субсидии может достигать 70,5 миллиардов иен (приблизительно 3,4 миллиарда юаней). В рамках этого сотрудничества Denso будет отвечать за производство подложек SiC, а Fuji Electric будет отвечать за производство силовых устройств SiC и планирует расширять соответствующие мощности. Ожидается, что производственная мощность проекта составит 310 000 штук в год, а поставки начнутся в мае 2027 года.