নিপ্পন ডেনসো এবং ফুজি ইলেকট্রিক SiC সেমিকন্ডাক্টর প্রজেক্ট তৈরি করতে এবং সরকারী ভর্তুকি পেতে সহযোগিতা করে

জাপানের অর্থনীতি, বাণিজ্য ও শিল্প মন্ত্রক সম্প্রতি ঘোষণা করেছে যে এটি নিপ্পন ডেনসো এবং ফুজি ইলেকট্রিক দ্বারা যৌথভাবে বিনিয়োগ করা সিলিকন কার্বাইড (SiC) সেমিকন্ডাক্টর প্রকল্পের জন্য ভর্তুকি প্রদান করবে 211.6 বিলিয়ন ইয়েন (প্রায় RMB 10.2 বিলিয়ন), যার মধ্যে ভর্তুকির পরিমাণ 70.5 বিলিয়ন ইয়েন (প্রায় RMB 3.4 বিলিয়ন) পর্যন্ত হতে পারে। এই সহযোগিতায়, ডেনসো SiC সাবস্ট্রেট তৈরির জন্য দায়ী থাকবে, যখন ফুজি ইলেকট্রিক SiC পাওয়ার ডিভাইস তৈরির জন্য দায়ী থাকবে এবং সম্পর্কিত সুবিধাগুলি প্রসারিত করার পরিকল্পনা করবে। প্রকল্পটির প্রতি বছর 310,000 পিস উৎপাদন ক্ষমতা থাকবে এবং 2027 সালের মে মাসে সরবরাহ শুরু হবে বলে আশা করা হচ্ছে।