Nippon Denso a Fuji Electric schaffen zesummen fir d'nächst Generatioun Siliziumkarbid Kraaft Hallefleit ze kreéieren

Denso a Fuji Electric hunn ugekënnegt datt se an den nächste Joren en neie Produktiounssystem opbauen fir sech op d'Fabrikatioun vun neie Kraafthalbleiteren op Basis vu Siliciumcarbid (SiC) ze konzentréieren. Denso wäert verantwortlech fir d'Produktioun vu Wafer-Substrate sinn, während Fuji Electric Siliziumkarbid-Halbleiter produzéiert. Déi zwee Firme plangen alljährlech Produktioun vun 310,000 Chips ze garantéieren, ab Mee 2027, andeems se hir Fabriken an der Koda Town, Aichi Prefecture an Anben City, Mie Prefecture, a Matsumoto City, Nagano Prefecture stäerken. Denso betount besonnesch seng Efforten fir d'Energiespuerung an d'Miniaturiséierung vun elektresche Gefierkomponenten ze förderen, dank der Entwécklung vu sengem Siliziumkarbid Kraaft Halbleitergeschäft. Zousätzlech plangt Fuji Electric och 180 Milliarden Yen an Ausrüstung am Halbleitergeschäft iwwer déi nächst dräi Joer ze investéieren, eng Erhéijung vun 15% iwwer déi dräi Joer virdrun. D'Demande fir Siliziumkarbid gëtt erwaart eropzegoen wéi erneierbar Energiesektore wéi Elektroautoen a Photovoltaikplacke wuessen. Dem Fuji Electric seng aktuell Kraaft Hallefleit benotzen haaptsächlech Siliziummaterialien, awer am Beräich vun elektresche Komponenten abegraff elektresch Gefierer, Moduler aus Siliziumkarbid hunn 1% vum Akommes am Steierjoer 2023 ausgemaach. D'Firma plangt säi Verhältnis op 20% bis steierlech 2026 ze erhéijen.