Nippon Denso و Fuji Electric برای ایجاد نسل جدید نیمه هادی های قدرت کاربید سیلیکون با یکدیگر همکاری می کنند.

دنسو و فوجی الکتریک اعلام کردند که در چند سال آینده یک سیستم تولید جدید برای تمرکز بر تولید نیمه هادی های قدرت جدید بر اساس کاربید سیلیکون (SiC) ایجاد خواهند کرد. دنسو مسئول تولید بسترهای ویفر خواهد بود، در حالی که فوجی الکتریک نیمه هادی های کاربید سیلیکون تولید خواهد کرد. این دو شرکت قصد دارند با تقویت کارخانه‌های خود در شهر کودا، استان آیچی و شهر آنبن، استان می و شهر ماتسوموتو، استان ناگانو، تولید سالانه 310000 تراشه را از ماه می 2027 آغاز کنند. دنسو به‌ویژه بر تلاش‌های خود برای ترویج صرفه‌جویی در انرژی و کوچک‌سازی اجزای خودروهای الکتریکی، به لطف توسعه کسب‌وکار نیمه‌رسانای قدرت کاربید سیلیکون، تأکید کرد. علاوه بر این، فوجی الکتریک همچنین قصد دارد در سه سال آینده 180 میلیارد ین در تجهیزات در تجارت نیمه هادی سرمایه گذاری کند که افزایش 15 درصدی نسبت به سه سال گذشته را نشان می دهد. انتظار می‌رود که تقاضا برای کاربید سیلیکون با رشد بخش‌های انرژی‌های تجدیدپذیر مانند خودروهای الکتریکی و پانل‌های فتوولتائیک افزایش یابد. نیمه هادی های برق فعلی فوجی الکتریک عمدتا از مواد سیلیکونی استفاده می کنند، اما در زمینه قطعات الکتریکی از جمله وسایل نقلیه الکتریکی، ماژول های ساخته شده از کاربید سیلیکون 1٪ از درآمد را در سال مالی 2023 به خود اختصاص دادند. این شرکت قصد دارد تا سال مالی 2026 نسبت خود را به 20 درصد افزایش دهد.