Samsung Electronics aðlagar getuúthlutun P4 framleiðslulínu í Pyeongtaek Park

Nýlega var greint frá því að Samsung Electronics hefur ákveðið að breyta getuúthlutun fyrsta áfanga P4 framleiðslulínunnar í Pyeongtaek Park frá hreinni framleiðslu á NAND Flash til framleiðslu á NAND Flash + DRAM til að bregðast við breytingum á eftirspurn á markaði. Samkvæmt skýrslum hefur fyrsti áfangi P4 þegar sett upp NAND glampi minni framleiðslutæki Samsung Electronics áformar að auka NAND framleiðslugetu þessarar framleiðslulínu í 10.000 oblátur á mánuði á sama tíma Búist er við að fyrsti áfangi P4 muni hafa 30.000 til 40.000 stykki af DRAM í framtíðinni.