Samsung Electronics корректирует распределение мощностей производственной линии P4 в парке Пхёнтэк

Недавно сообщалось, что компания Samsung Electronics решила скорректировать распределение мощностей первой фазы производственной линии P4 в парке Пхёнтэк с чистого производства NAND Flash на производство NAND Flash + DRAM в ответ на изменения рыночного спроса. По имеющимся данным, на первом этапе P4 уже частично установлено оборудование для производства флэш-памяти NAND. Samsung Electronics планирует к концу года увеличить производственную мощность NAND этой производственной линии до 10 000 пластин в месяц. Ожидается, что первая фаза P4 будет иметь от 30 000 до 40 000 единиц DRAM в будущем.