De Silan Micro huet e Kooperatiounsvertrag mat der Xiamen Municipal Government ënnerschriwwen fir den 8-Zoll SiC Power Device Chip Fabrikatiounsprojet ze promoten

Den 21. Mee huet d'Xiamen Gemengerot Regierung e strategesche Kooperatiounsvertrag mat Hangzhou Silan Microelectronics ënnerschriwwen, geplangt fir eng 8-Zoll SiC Power Device Chip Produktiounslinn am Haicang Distrikt, Xiamen opzebauen. D'Gesamtinvestitioun vum Projet ass 12 Milliarden Yuan, an d'Joresproduktiounskapazitéit gëtt erwaart no 720.000 Stécker ze erreechen. Dëst ass dem Silan Micro säin drëtte wichtege Projet zu Xiamen, zielt fir d'Entwécklung vu Schlësselauto Hallefleit Chips ze beschleunegen.