Nexperia bringt diskrete Hochleistungs-SiC-MOSFET-Geräte im D2PAK-7-Gehäuse auf den Markt

Nexperia hat kürzlich diskrete 1200-V-Siliziumkarbid-MOSFET-Bauteile (SiC) in D2PAK-7-Gehäusen auf den Markt gebracht, die Optionen mit einem RDson-Wert von 30, 40, 60 und 80 mΩ bieten. Bei diesem Produkt handelt es sich um ein neues Produkt nach der Einführung des SiC-MOSFET im TO-247-Gehäuse Ende 2023 und wird die Produktlinie weiter erweitern. Das neue Gerät erfüllt die Marktnachfrage nach leistungsstarken SiC-Schaltern und eignet sich für industrielle Anwendungen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Solarenergie und Energiespeichersysteme.