Nexperia lance des dispositifs discrets SiC MOSFET hautes performances dans le boîtier D2PAK-7

Nexperia a récemment lancé des dispositifs discrets MOSFET en carbure de silicium (SiC) 1 200 V dans des boîtiers D2PAK-7, offrant des options de valeur RDson de 30, 40, 60 et 80 mΩ. Ce produit est un nouveau produit après le lancement du MOSFET SiC en boîtier TO-247 fin 2023, et élargira encore la gamme de produits. Le nouveau dispositif répond à la demande du marché en commutateurs SiC hautes performances et convient aux applications industrielles telles que la recharge de véhicules électriques, les alimentations sans coupure, l'énergie solaire et les systèmes de stockage d'énergie.