Nexperia lança dispositivos discretos SiC MOSFET de alto desempenho no pacote D2PAK-7

A Nexperia lançou recentemente dispositivos discretos MOSFET de carboneto de silício (SiC) de 1200V em pacotes D2PAK-7, oferecendo opções de valor RDson de 30, 40, 60 e 80mΩ. Este produto é um novo produto após o lançamento do SiC MOSFET embalado TO-247 no final de 2023 e expandirá ainda mais a linha de produtos. O novo dispositivo atende à demanda do mercado por switches SiC de alto desempenho e é adequado para aplicações industriais, como carregamento de veículos elétricos, fontes de alimentação ininterruptas, energia solar e sistemas de armazenamento de energia.