Nexperia lanza dispositivos discretos SiC MOSFET de alto rendimiento en paquete D2PAK-7

Nexperia lanzó recientemente dispositivos discretos MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V en paquetes D2PAK-7, que ofrecen opciones de valor RDson de 30, 40, 60 y 80 mΩ. Este producto es un producto nuevo después del lanzamiento del MOSFET de SiC empaquetado TO-247 a finales de 2023 y ampliará aún más la línea de productos. El nuevo dispositivo satisface la demanda del mercado de interruptores de SiC de alto rendimiento y es adecuado para aplicaciones industriales como carga de vehículos eléctricos, sistemas de alimentación ininterrumpida, energía solar y sistemas de almacenamiento de energía.