Nexperia lancéiert High-Performance SiC MOSFET diskret Geräter am D2PAK-7 Package

Nexperia huet viru kuerzem 1200V Siliziumkarbid (SiC) MOSFET diskret Geräter an D2PAK-7 Packagen gestart, déi 30, 40, 60 an 80mΩ RDson Wäertoptiounen ubidden. Dëst Produkt ass en neit Produkt nom Start vum TO-247 verpackte SiC MOSFET Enn 2023, a wäert d'Produktlinn weider ausbauen. Den neien Apparat entsprécht Maartfuerderung fir High-Performance SiC Schalter an ass gëeegent fir industriell Uwendungen wéi elektresch Gefierer Laden, onënnerbrach Energieversuergung, Solarenergie an Energiespeichersystemer.