Nexperia выпускает высокопроизводительные дискретные устройства SiC MOSFET в корпусе D2PAK-7

Недавно компания Nexperia выпустила дискретные устройства MOSFET на основе карбида кремния (SiC) с напряжением 1200 В в корпусах D2PAK-7, предлагающие варианты номиналов RDson 30, 40, 60 и 80 мОм. Этот продукт является новым продуктом после запуска SiC MOSFET в корпусе TO-247 в конце 2023 года и будет способствовать дальнейшему расширению линейки продуктов. Новое устройство отвечает рыночному спросу на высокопроизводительные SiC-переключатели и подходит для промышленных применений, таких как зарядка электромобилей, источники бесперебойного питания, солнечная энергия и системы хранения энергии.