Nexperia uvádí na trh vysoce výkonná diskrétní zařízení SiC MOSFET v balení D2PAK-7

Společnost Nexperia nedávno uvedla na trh samostatná zařízení MOSFET z karbidu křemíku (SiC) s napětím 1200 V v pouzdrech D2PAK-7, která nabízejí možnosti hodnoty RDson 30, 40, 60 a 80 mΩ. Tento produkt je novým produktem po uvedení baleného SiC MOSFET TO-247 na konci roku 2023 a dále rozšíří produktovou řadu. Nové zařízení splňuje tržní poptávku po vysoce výkonných SiC spínačích a je vhodné pro průmyslové aplikace, jako je nabíjení elektromobilů, nepřerušitelné zdroje energie, solární energie a systémy skladování energie.