Das 800-V-Siliziumkarbidmodul von Zhixin Semiconductor bietet Wettbewerbsvorteile

Das 800-V-Siliziumkarbidmodul von Zhixin Semiconductor nutzt den Nano-Silber-Sinterprozess und die Kupferbindungstechnologie, wodurch es eine bessere Wärmeableitungsleistung, einen höheren Spannungswiderstand und eine um 3 % erhöhte Energieumwandlungseffizienz aufweist. Darüber hinaus werden die Kosten dieses Moduls im Vergleich zu ausländischen Produkten mit gleicher Leistung um 30 % gesenkt.