Il modulo in carburo di silicio da 800 V di Zhixin Semiconductor presenta vantaggi competitivi

Il modulo in carburo di silicio da 800 V di Zhixin Semiconductor adotta il processo di sinterizzazione del nano-argento e la tecnologia di collegamento del rame, che gli conferisce migliori prestazioni di dissipazione del calore, maggiore resistenza alla tensione ed efficienza di conversione energetica aumentata del 3%. Inoltre, rispetto ai prodotti esteri con le stesse prestazioni, il costo di questo modulo è ridotto del 30%.