Модуль карбида кремния Zhixin Semiconductor на напряжение 800 В имеет конкурентные преимущества

Модуль карбида кремния Zhixin Semiconductor на 800 В использует процесс спекания нано-серебра и технологию соединения меди, что обеспечивает лучшие характеристики рассеивания тепла, более высокую устойчивость к напряжению и эффективность преобразования энергии, увеличенную на 3%. Кроме того, по сравнению с зарубежной продукцией такой же производительности стоимость данного модуля снижена на 30%.