Udviklingsstatus for siliciumcarbidindustrikæden

Siliciumcarbid industrikæden omfatter hovedsageligt fire hovedled: substrat, epitaksi, enheder og applikationer. Substratet og epitaksiale led optager hovedværdien af ​​den industrielle kæde, der tegner sig for henholdsvis 60% af de samlede omkostninger. I øjeblikket har siliciumcarbidsubstrater de højeste tekniske barrierer i siliciumcarbidindustriens kæde, og deres produktion er vanskelig, hvilket resulterer i højere omkostninger til SiC-enheder.