Stanje razvoja industrijske verige silicijevega karbida

Veriga industrije silicijevega karbida vključuje predvsem štiri glavne člene: substrat, epitaksija, naprave in aplikacije. Substrat in epitaksialne povezave zavzemajo glavno vrednost industrijske verige in predstavljajo 60 % skupnih stroškov. Trenutno imajo substrati iz silicijevega karbida najvišje tehnične ovire v verigi industrije silicijevega karbida, njihova proizvodnja pa je težavna, kar povzroča višje stroške za naprave SiC.