Löggjafarráðið í Hong Kong samþykkti úthlutun upp á 2,84 milljarða HK til að koma á fót rannsóknar- og þróunarstofnun fyrir hálfleiðara.

Fjármálanefnd löggjafarráðsins í Hong Kong hefur samþykkt úthlutun upp á 2,84 milljarða HK$ (um það bil 2,633 milljarða júana) til að stofna Hong Kong Microelectronics Research and Development Institute, sem einbeitir sér að hálfleiðararannsóknum og þróun. Stofnunin mun leggja áherslu á þriðju kynslóðar hálfleiðaratækni eins og kísilkarbíð (SiC) og gallíumnítríð (GaN).