Законодательный совет Гонконга одобрил финансирование в размере 2,84 миллиарда гонконгских долларов для создания института исследований и разработок полупроводников.

Финансовый комитет Законодательного совета Гонконга утвердил выделение 2,84 млрд гонконгских долларов (приблизительно 2,633 млрд юаней) на создание Гонконгского научно-исследовательского института микроэлектроники, который специализируется на исследованиях и разработках в области полупроводников. Агентство сосредоточится на полупроводниковых технологиях третьего поколения, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN).