Законодавча рада Гонконгу схвалила виділення 2,84 мільярда гонконгських доларів на створення інституту досліджень і розробок напівпровідників.

Фінансовий комітет Законодавчої ради Гонконгу схвалив виділення 2,84 мільярда гонконгських доларів (приблизно 2,633 мільярда юанів) для створення Інституту досліджень і розвитку мікроелектроніки Гонконгу, який зосереджується на дослідженнях і розробці напівпровідників. Агентство зосередиться на напівпровідникових технологіях третього покоління, таких як карбід кремнію (SiC) і нітрид галію (GaN).