ჰონგ-კონგის საკანონმდებლო საბჭომ დაამტკიცა 2,84 მილიარდი ჰონკონგის დოლარის გამოყოფა ნახევარგამტარების კვლევისა და განვითარების ინსტიტუტის შესაქმნელად.

ჰონკონგის საკანონმდებლო საბჭოს ფინანსურმა კომიტეტმა დაამტკიცა 2,84 მილიარდი ჰონკ დოლარის (დაახლოებით 2,633 მილიარდი იუანი) გამოყოფა ჰონგ კონგის მიკროელექტრონული კვლევისა და განვითარების ინსტიტუტის დასაარსებლად, რომელიც ორიენტირებულია ნახევარგამტარების კვლევასა და განვითარებაზე. სააგენტო ყურადღებას გაამახვილებს მესამე თაობის ნახევარგამტარულ ტექნოლოგიებზე, როგორიცაა სილიციუმის კარბიდი (SiC) და გალიუმის ნიტრიდი (GaN).