Zhixin Semiconductors anden produktionslinje tages i brug til at producere 800V siliciumcarbidmoduler

Den 7. juli 2021 startede produktionslinjen baseret på 6. generations IGBT-chipteknologi i verdensklasse masseproduktion, og det første parti af uafhængigt producerede IGBT-modulprodukter i bilindustrien i det centrale Kina rullede officielt ud af produktionslinjen. Den første fase produktionskapacitet er 300.000 enheder, hovedsagelig producerer 400V silicium-baserede IGBT moduler. I april i år blev Zhixin Semiconductors anden produktionslinje sat i drift med en planlagt produktionskapacitet på 400.000 enheder. Den er kompatibel med produktionen af ​​400V siliciumbaserede IGBT-moduler og 800V siliciumcarbidmoduler nåede 70 %. Zhixin Semiconductor sagde, at produktionslinjen forventes at blive sat i masseproduktion i juli og sat i masseproduktion i oktober. 800V siliciumcarbidmodulet anvender nano-sølvsintringsproces og kobberbindingsteknologi, som har bedre varmeafledningsydelse, stærkere spændingsmodstand og energikonverteringseffektivitet øget med 3%. Sammenlignet med udenlandske produkter med samme ydeevne er prisen på dette modul reduceret med 30%, hvilket opnår et gennembrud fra eksisterende til fremragende. Derudover planlægger Zhixin Semiconductor en tredje produktionslinje med en planlagt årlig produktionskapacitet på 500.000 enheder. I 2025 vil Zhixin Semiconductor nå en samlet produktionskapacitet på 1,2 millioner IGBT-moduler, hvilket fuldt ud understøtter Dongfengs 1 million nye energikøretøjer i løbet af "14. Femårsplan" salgsmål.