Déi zweet Produktiounslinn vum Zhixin Semiconductor gëtt benotzt fir 800V Siliziumkarbidmoduler ze produzéieren

De 7. Juli 2021 huet d'Produktiounslinn baséiert op der Weltklass 6. Déi éischt Phase Produktiounskapazitéit ass 300.000 Eenheeten, haaptsächlech produzéiert 400V Silizium-baséiert IGBT Moduler. Am Abrëll dëst Joer gouf d'Zhixin Semiconductor d'zweet Produktiounslinn mat enger geplangter Produktiounskapazitéit vu 400.000 Eenheeten agefouert erreecht 70%. Zhixin Semiconductor sot datt d'Produktiounslinn erwaart gëtt am Juli an d'Massproduktioun gesat ginn an am Oktober an d'Massproduktioun gesat ginn. Den 800V Siliziumkarbidmodul adoptéiert Nano-Sëlwer Sinterprozess a Kupferbindungstechnologie, déi eng besser Wärmevergëftungsleistung, méi staark Spannungsresistenz an Energiekonversiounseffizienz ëm 3% erhéicht huet. Am Verglach mat auslännesche Produkter mat der selwechter Leeschtung sinn d'Käschte vun dësem Modul ëm 30% reduzéiert, fir en Duerchbroch vun existéierend bis exzellent z'erreechen. Zousätzlech plangt Zhixin Semiconductor eng drëtt Produktiounslinn mat enger geplangter jährlecher Produktiounskapazitéit vu 500.000 Unitéiten Bis 2025 wäert Zhixin Semiconductor eng Gesamtproduktiounskapazitéit vun 1.2 Milliounen IGBT Moduler erreechen, déi Dongfeng seng 1 Millioun nei Energieween während dem "14. Fënnef-Joer Plang" Verkafsziel.