Zhixin Semiconductors andre produksjonslinje tas i bruk for å produsere 800V silisiumkarbidmoduler

Den 7. juli 2021 startet produksjonslinjen basert på 6. generasjons IGBT-brikketeknologi i verdensklasse masseproduksjon, og den første partiet med uavhengig produserte IGBT-modulprodukter i bilindustrien i Sentral-Kina rullet offisielt av produksjonslinjen. Produksjonskapasiteten i første fase er 300 000 enheter, hovedsakelig med produksjon av 400V silisiumbaserte IGBT-moduler. I april i år ble Zhixin Semiconductors andre produksjonslinje satt i drift med en planlagt produksjonskapasitet på 400 000 enheter. Den er kompatibel med produksjon av 400V silisiumbaserte IGBT-moduler og 800V silisiumkarbidmoduler nådde 70 %. Zhixin Semiconductor sa at produksjonslinjen forventes å bli satt i masseproduksjon i juli og satt i masseproduksjon i oktober. 800V silisiumkarbidmodulen bruker nano-sølv sintringsteknologi og kobberbindingsteknologi, som har bedre varmeavledningsytelse, sterkere spenningsmotstand og en 3% økning i energikonverteringseffektivitet. Sammenlignet med utenlandske produkter med samme ytelse, reduseres kostnaden for denne modulen med 30 %, og oppnår et gjennombrudd fra eksistens til fortreffelighet. I tillegg planlegger Zhixin Semiconductor en tredje produksjonslinje med en planlagt årlig produksjonskapasitet på 500 000 enheter. Innen 2025 vil Zhixin Semiconductor nå en total produksjonskapasitet på 1,2 millioner IGBT-moduler, og fullt ut støtte Dongfengs 1 million nye energibiler i løpet av "14. Femårsplan" salgsmål.