Друга производна линија Зхикин Семицондуцтор-а пуштена је у употребу за производњу 800В модула од силицијум карбида

Дана 7. јула 2021. године, производна линија заснована на технологији ИГБТ чипова 6. генерације светске класе започела је масовну производњу, а прва серија независно произведених производа ИГБТ модула за аутомобиле у Централној Кини званично је сишла са производне линије. Капацитет производње прве фазе је 300.000 јединица, углавном за производњу 400В ИГБТ модула на бази силикона. У априлу ове године пуштена је у рад друга производна линија Зхикин Семицондуцтор са планираним производним капацитетом од 400.000 јединица. Компатибилна је са производњом ИГБТ модула од 400 В и 800 В достигао 70%. Зхикин Семицондуцтор је рекао да се очекује да ће производна линија бити пуштена у масовну производњу у јулу и пуштена у масовну производњу у октобру. Модул од силицијум карбида од 800В усваја процес синтеровања нано-сребра и технологију везивања бакра, која има боље перформансе одвођења топлоте, јачи отпор напона и ефикасност конверзије енергије повећана за 3%. У поређењу са иностраним производима са истим перформансама, цена овог модула је смањена за 30%, постижући пробој од постојећег до одличног. Поред тога, Зхикин Семицондуцтор планира трећу производну линију са планираним годишњим производним капацитетом од 500.000 јединица. Петогодишњи план" циљ продаје.