A Zhixin Semiconductor második gyártósorát 800 V-os szilícium-karbid modulok gyártására kezdik

2021. július 7-én a világszínvonalú, 6. generációs IGBT chiptechnológián alapuló gyártósor megkezdte a tömeggyártást, és az önállóan gyártott autóipari minőségű IGBT-modul termékek első tétele Közép-Kínában hivatalosan is legördült a gyártósorról. Az első fázis gyártási kapacitása 300 000 egység, főként 400 V-os szilícium alapú IGBT modulokat gyártanak. Idén áprilisban üzembe helyezték a Zhixin Semiconductor második gyártósorát 400 000 darabos gyártási kapacitással. Kompatibilis a 400 V-os szilícium alapú IGBT modulok és a 800 V-os szilícium-karbid modulok gyártásával elérte a 70%-ot. A Zhixin Semiconductor elmondta, hogy a gyártósort várhatóan júliusban, tömeggyártásba pedig októberben állítják be. A 800 V-os szilícium-karbid modul nano-ezüst szinterezési eljárást és rézkötési technológiát alkalmaz, amely jobb hőelvezetési teljesítményt, erősebb feszültségellenállást és 3%-kal nőtt energiaátalakítási hatékonyságot biztosít. Az azonos teljesítményű külföldi termékekhez képest ennek a modulnak a költsége 30%-kal csökken, ami áttörést jelent a létezésből a kiválóság felé. Emellett a Zhixin Semiconductor egy harmadik gyártósort is tervez 500 000 darabos éves gyártási kapacitással 2025-re a Zhixin Semiconductor teljes gyártási kapacitása eléri az 1,2 millió IGBT modult, amely teljes mértékben támogatja a Dongfeng 1 millió új energiajárművét a „14. Ötéves terv" értékesítési cél.