Zhixin Semiconductor ၏ဒုတိယထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို 800V ဆီလီကွန်ကာဗိုက်မော်ဂျူးများထုတ်လုပ်ရန်အသုံးပြုသည်။

ဇူလိုင်လ 7 ရက်၊ 2021 ခုနှစ်တွင်၊ ကမ္ဘာ့အဆင့်မီ 6th မျိုးဆက် IGBT ချစ်ပ်နည်းပညာကိုအခြေခံသည့် ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းသည် အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်ခဲ့ပြီး၊ လွတ်လပ်စွာထုတ်လုပ်ထားသော မော်တော်ယာဥ်အဆင့် IGBT module ထုတ်ကုန်များ၏ ပထမအသုတ်သည် တရုတ်နိုင်ငံအလယ်ပိုင်းတွင် တရားဝင်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းမှ ရပ်စဲသွားပါသည်။ ပထမအဆင့် ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်မှာ ယူနစ် 300,000 ဖြစ်ပြီး အဓိကအားဖြင့် 400V ဆီလီကွန်အခြေခံ IGBT module များကို ထုတ်လုပ်ပါသည်။ ယခုနှစ်ဧပြီလတွင် Zhixin Semiconductor ၏ဒုတိယထုတ်လုပ်မှုလိုင်းသည် 400V ဆီလီကွန်အခြေခံ IGBT modules နှင့် 800V silicon carbide modules များ၏ထုတ်လုပ်မှုနှုန်းတွင်ဒေသခံအဖြစ်သတ်မှတ်မှုရှိသည်။ 70% သို့ရောက်ရှိခဲ့သည်။ Zhixin Semiconductor မှ ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းအား ဇူလိုင်လတွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုတွင် ထည့်သွင်းပြီး အောက်တိုဘာလတွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုသို့ ထည့်သွင်းမည်ဟု မျှော်လင့်ထားကြောင်း Zhixin Semiconductor မှ ပြောကြားခဲ့သည်။ 800V ဆီလီကွန်ကာဗိုက် module သည် နာနိုငွေ sintering နည်းပညာနှင့် ကြေးနီချည်နှောင်ခြင်းနည်းပညာကို လက်ခံထားပြီး၊ ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူပျံ့စေသော စွမ်းဆောင်ရည်၊ ပိုအားကောင်းသော ဗို့အားကို ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှု 3% တိုးလာပါသည်။ တူညီသောစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသောနိုင်ငံခြားထုတ်ကုန်များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက၊ ဤ module ၏ကုန်ကျစရိတ်သည်ရှိပြီးသားမှအကောင်းဆုံးအထိအောင်မြင်မှုရရှိရန် 30% လျှော့ချသည်။ ထို့အပြင် Zhixin Semiconductor သည် 2025 ခုနှစ်တွင် Zhixin Semiconductor သည် နှစ်စဉ်ထုတ်လုပ်နိုင်စွမ်းရှိသော အစီးရေ 500,000 ဖြင့် တတိယမြောက်ထုတ်လုပ်မှုလိုင်းကို စီစဉ်နေပြီး Zhixin Semiconductor သည် "14 ကြိမ်မြောက် IGBT modules စုစုပေါင်းထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်ကို 1.2 သန်းအထိရောက်ရှိမည်ဖြစ်ပြီး၊ Dongfeng ၏ စွမ်းအင်သစ်အစီးရေ 1 သန်းကို အပြည့်အဝထောက်ပံ့ပေးမည်ဖြစ်သည်။ ငါးနှစ်စီမံကိန်း" အရောင်းရည်မှန်းချက်။