تم وضع خط الإنتاج الثاني لشركة Zhixin Semiconductor قيد الاستخدام لإنتاج وحدات كربيد السيليكون 800 فولت

في 7 يوليو 2021، بدأ خط الإنتاج المعتمد على تقنية شرائح IGBT من الجيل السادس ذات المستوى العالمي في الإنتاج الضخم، وخرجت الدفعة الأولى من منتجات وحدات IGBT المخصصة للسيارات المنتجة بشكل مستقل في وسط الصين رسميًا من خط الإنتاج. وتبلغ الطاقة الإنتاجية للمرحلة الأولى 300000 وحدة، وتنتج بشكل أساسي وحدات IGBT القائمة على السيليكون بجهد 400 فولت. في أبريل من هذا العام، تم تشغيل خط الإنتاج الثاني لشركة Zhixin Semiconductor بقدرة إنتاجية مخططة تبلغ 400000 وحدة، وهو متوافق مع إنتاج وحدات IGBT القائمة على السيليكون بجهد 400 فولت ووحدات كربيد السيليكون بجهد 800 فولت وصلت إلى 70%. وقالت شركة Zhixin Semiconductor إنه من المتوقع أن يدخل خط الإنتاج حيز الإنتاج الضخم في يوليو، ثم يدخل حيز الإنتاج الضخم في أكتوبر. تعتمد وحدة كربيد السيليكون 800 فولت تقنية تلبيد الفضة النانوية وتكنولوجيا ربط النحاس، والتي تتميز بأداء أفضل في تبديد الحرارة، ومقاومة أقوى للجهد، وزيادة بنسبة 3% في كفاءة تحويل الطاقة. بالمقارنة مع المنتجات الأجنبية ذات الأداء نفسه، يتم تقليل تكلفة هذه الوحدة بنسبة 30%، مما يحقق تقدمًا كبيرًا من الموجود إلى الممتاز. بالإضافة إلى ذلك، تخطط Zhixin Semiconductor لخط إنتاج ثالث بطاقة إنتاجية سنوية مخططة تبلغ 500000 وحدة. بحلول عام 2025، ستصل Zhixin Semiconductor إلى طاقة إنتاجية إجمالية تبلغ 1.2 مليون وحدة IGBT، مما يدعم بشكل كامل مليون مركبة طاقة جديدة لشركة Dongfeng خلال "الرابع عشر". "الخطة الخمسية" هدف المبيعات.