Zhixin Semiconductor-un ikinci istehsal xətti 800V silisium karbid modullarının istehsalı üçün istifadəyə verilir.

7 iyul 2021-ci ildə dünya səviyyəli 6-cı nəsil IGBT çip texnologiyasına əsaslanan istehsal xətti kütləvi istehsala başladı və Mərkəzi Çində müstəqil istehsal olunan avtomobil dərəcəli IGBT modul məhsullarının ilk partiyası rəsmi olaraq istehsal xəttindən çıxdı. Birinci fazanın istehsal gücü 300.000 ədəddir, əsasən 400V silikon əsaslı IGBT modulları istehsal edir. Bu ilin aprel ayında Zhixin Semiconductor-un planlaşdırılan istehsal gücü 400.000 ədəd olan 400V silisium əsaslı IGBT modulları və 800V silisium karbid modullarının istehsalına uyğun olaraq istifadəyə verilmişdir 70%-ə çatıb. Zhixin Semiconductor bildirib ki, istehsal xəttinin iyul ayında kütləvi istehsala, oktyabrda isə kütləvi istehsala buraxılması gözlənilir. 800V silisium karbid modulu nano-gümüş sinterləmə texnologiyasını və daha yaxşı istilik yayma performansına, daha güclü gərginlik müqavimətinə və enerjiyə çevrilmə səmərəliliyinin 3% artmasına malik mis birləşmə texnologiyasını qəbul edir. Eyni performansa malik xarici məhsullarla müqayisədə, bu modulun dəyəri mövcudluqdan mükəmməlliyə doğru irəliləyiş əldə edərək 30% azalır. Bundan əlavə, Zhixin Semiconductor, 2025-ci ilə qədər planlaşdırılan illik istehsal gücü 500.000 ədəd olan üçüncü istehsal xəttini planlaşdırır. beşillik plan” satış hədəfi.