Науково-технологічні парки Гонконгу та JP Semiconductor підписали меморандум про співпрацю

Науково-технологічні парки Гонконгу та Jie Square Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. підписали меморандум про співпрацю. Обидві сторони створять у Науковому парку Гонконгу глобальний центр досліджень і розробок третього покоління та інвестуватимуть у відкриття. першої удосконаленої вертикально інтегрованої фабрики SiC у Гонконгу. Загальні інвестиції в проект становлять приблизно 6,9 мільярда гонконгських доларів. Очікується, що в 2028 році він буде виготовляти 240 000 пластин SiC щорічно, що забезпечить річну вартість понад 11 мільярдів гонконгських доларів і створить понад 700 робочих місць.