Hongkongi teadus- ja tehnoloogiapargid ning JP Semiconductor allkirjastasid koostöömemorandumi

Hongkongi teadus- ja tehnoloogiapargid ning Jie Square Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. allkirjastasid koostöömemorandumi. Mõlemad osapooled loovad Hongkongi teaduspargis kolmanda põlvkonna pooljuhtidele keskenduva ülemaailmse teadus- ja arenduskeskuse ning investeerivad selle avamisse. Hongkongi esimene 8-tolline täiustatud vertikaalselt integreeritud vahvlifab. Projekti koguinvesteering on ligikaudu 6,9 miljardit Hongkongi dollarit. Eeldatakse, et 2028. aastal toodetakse igal aastal 240 000 ränikarbiidiplaati, mille aastane toodang on üle 11 miljardi HK dollari ja loob rohkem kui 700 töökohta.