פארקי המדע והטכנולוגיה של הונג קונג ו-JP Semiconductor חתמו על מזכר לשיתוף פעולה

3
פארק המדע והטכנולוגיה של הונג קונג וחברת Jie Square Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd חתמו על מזכר לשיתוף פעולה. מדגם ה-SiC המתקדם בגודל 8 אינץ' משולבת אנכית של הונג קונג. ההשקעה הכוללת בפרויקט היא כ-6.9 מיליארד דולר הונג קונגי. הוא צפוי לייצר 240,000 פרוסות SiC מדי שנה בשנת 2028, להניב ערך תפוקה שנתי של יותר מ-11 מיליארד דולר הונג קונגי ולייצר יותר מ-700 מקומות עבודה.