بازده فرآیند 3 نانومتری سامسونگ تنها 20 درصد است و بازده فرآیند N3B TSMC نزدیک به 55 درصد است.

بر اساس گزارش ها، نرخ بازده نسل دوم فرآیند 3 نانومتری سامسونگ که در شرف تولید انبوه است، تنها 20 درصد است در حالی که نرخ بازده فرآیند N3B TSMC نزدیک به 55 درصد است. این تفاوت ممکن است بر تلاش های سامسونگ برای رقابت برای سفارشات ریخته گری تراشه های انویدیا تأثیر بگذارد.