TSMC 1,6 nm prosesinə nail olmaq üçün çoxsaylı məruz qalma metodlarından istifadə edir

Ən son R&D tərəqqisində TSMC, çoxsaylı məruz qalma metodlarından istifadə edərək, şirkətin mövcud EUV litoqrafiya maşınlarında 1,6 nm prosesinə nail olmaq məqsədinə uğurla nail olduğunu ortaya qoydu. Bu sıçrayış texnologiyası yarımkeçirici sənayeyə daha yüksək istehsal səmərəliliyi və aşağı xərclər gətirəcək.