AION RT ass mat Basis Semiconductor 750V voll Siliziumkarbid Kraaftmodul ausgestatt

Den AION RT Modell vun der High-End Mark vun GAC Aion ass mat engem 750V voll Siliziumkarbid Kraaftmodul ausgestatt vum Basic Semiconductor, deen e weidere wichtege Schrëtt an der technologescher Innovatioun vum GAC Aion am Beräich vun neien Energieautoen markéiert.