AION RT instructum cum semiconductore Basic 750V carbidi Pii plena potentia moduli

AION RT exemplum notae GAC Aionis summus finis instructa est 750V carbide plenae potentiae siliconis moduli a Semiconductore Basic comparato, qui alium gradum magni momenti notat in innovatione technologica GAC ​​Aionis in agro novarum vehiculorum energiae.